[发明专利]一种触发器

摘要

本发明涉及一种触发器，包括：高电平阈值比较器、低电平阈值比较器、带使能控制的或非门电路及反相器；其中，所述高电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第一输入端电性连接；所述低电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第二输入端电性连接；所述带使能控制的或非门电路的输出端与所述反相器的输入端电性连接，所述反相器的输出端反馈至所述带使能控制的或非门电路的第三输入端，从而可以使触发器的前后沿触发电压不受电源电压和温度的影响。

主权项

1.一种触发器，其特征在于，包括：高电平阈值比较器、低电平阈值比较器、带使能控制的或非门电路及反相器；其中，所述高电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第一输入端电性连接；所述低电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第二输入端电性连接；所述带使能控制的或非门电路的输出端与所述反相器的输入端电性连接，所述反相器的输出端反馈至所述带使能控制的或非门电路的第三输入端；其中，所述带使能控制的或非门电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管；所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极电性连接至电源，所述第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极电性连接，所述第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极电性连接，所述第三PMOS管的漏极与第一NMOS管的源极电性连接，第一NMOS管的漏极与第三NMOS管的源极电性连接，第二NMOS管的源极与第一NMOS管的源极电性连接；其中，所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极电性连接，其中，所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极的电性连接点为所述的第一输入端；所述第一PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极电性连接，其中，所述第一PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极的电性连接点为所述的第二输入端；所述反相器的输入端与所述第三PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极及所述第二NMOS管的源极同时电性连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极的电性连接；所述第一PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极的电性连接；所述第一NMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极电性连接为所述的第三输入端。