[发明专利]一种真空中采用热电子发射制造带电污染物的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201210472735.5 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN102923321A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 郭兴;王鹢;杨生胜;庄建宏;杨青;孔风连;薛玉雄;颜则东 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
主分类号: B64G7/00 分类号: B64G7/00
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 杨志兵;李爱英
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明涉及一种真空中采用热电子发射制造带电污染物的装置及方法,属于真空技术应用领域。所述装置包括:真空测试室、热电子发射阴极、热电子发射阴极陶瓷固定件、加速极支撑架、偏转栅网、测试法兰、加速极、底座、出气盖、加热台、支架、温控仪、直流稳流电源、真空机组、第一稳压电源、第二稳压电源;QCM支架;所述方法在真空中利用热电子发射阴极产生电子,并利用加速极使电子在环形电场中反复运动,运动的电子与材料受热出气产物相互作用,产生带电污染物。利用本方法可得到真空条件下,不同材料出气污染物产生的带电污染物。
搜索关键词: 一种 空中 采用 电子 发射 制造 带电 污染物 装置 方法
【主权项】:
一种真空中采用热电子发射制造带电污染物的装置,其特征在于:所述装置包括:真空测试室(1)、热电子发射阴极(2)、热电子发射阴极陶瓷固定件(3)、加速极支撑架(4)、偏转栅网(5)、测试法兰(6)、加速极(9)、底座(10)、出气盖(11)、加热台(12)、支架(13)、温控仪、直流稳流电源、真空机组、第一稳压电源、第二稳压电源;QCM支架(8);其中,真空测试室(1)内部中心位置设有底座(10);热电子发射阴极(2)通过热电子发射阴极陶瓷固定件(3)固定安装在底座(10)左侧;加速极(9)通过加速极支撑架(4)固定安装在底座(10)中部;QCM支架(8)固定安装在底座(10)右侧;偏转栅网(5)固定安装在QCM支架(8)左侧,并与QCM支架(8)之间绝缘;加热台(12)通过支架(13)固定安装在真空测试室(1)左侧,在加热台(12)中心开有出气孔,在出气孔上设有出气盖(11),加热台(12)出气孔与偏转栅网(5)正对;测试法兰(6)安装在真空测试室(1)顶部,在测试法兰(6)上布置有三个真空接插件,其中两个为高压真空接插件;在真空测试室(1)底部安装有真空法兰;直流稳流电源、第一稳压电源、第二稳压电源、真空机组、温控仪位于真空测试室(1)外部;直流稳流电源通过真空接插件与热电子发射阴极(2)连接;第一稳压电源通过一个高压真空接插件与加速极(9)连接;第二稳压电源通过另一个高压真空接插件与偏转栅网(5)连接;温控仪通过真空测试室(1)底部的真空法兰与加热台(12)连接;真空机组与真空测试室(1)连接。
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