[发明专利]一种湿法去除硅锗合金锅底料中金属杂质的方法无效

专利信息
申请号: 201210451372.7 申请日: 2012-11-13
公开(公告)号: CN102943188A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 陈秀华;李程 申请(专利权)人: 云南大学
主分类号: C22C1/10 分类号: C22C1/10;C22C1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650091 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明是一种湿法去除硅锗合金锅底料中金属杂质的方法。以含有Fe、Al、Ca等金属杂质的拉单晶后的硅锗合金锅底料为原料,按粒度100-1000μm分级后,以HCl为浸出剂,控制浸出时间为4-32h,温度为20-80℃范围内并在搅拌条件下,分布在硅锗合金晶界处的杂质会被溶解,经固液分离后实现提纯的效果。该过程中金属杂质Fe、Al、Ca的去除率分别可达99.23%,84.36%,34.18%。本发明是一种工艺流程短、成本低、环境污染少的硅锗合金提纯方法,以进一步满足其在工业生产、军事、通信领域对合金材料要求,并可实现二次资源的再生利用。
搜索关键词: 一种 湿法 去除 合金 锅底 金属 杂质 方法
【主权项】:
一种湿法去除硅锗合金锅底料中金属杂质的方法,其特征为具体步骤经过如下:(1)粒度分级:拉单晶后的含金属杂质Fe 、Al、Ca的硅锗合金锅底料块体经粉碎后,利用粒度筛进行粒度选择,得到粒度为100‑1000μm范围内的硅锗合金粉体;(2)前期预处理:将步骤(1)中制得的粉体利用蒸馏水及无水乙醇进行反复清洗以去除由粉碎过程引入的废絮及有机杂质,并进行24小时干燥;(3)酸浸除杂:将步骤(2)得到的粉体放入2mol/lHCl浸出剂中,在酸浸时间8小时、温度为40℃条件下搅拌,进行反应除杂;(4)液固分离:将步骤(3)进行固液分离后,利用去离子水反复清洗,干燥后得到高纯度的硅锗合金产品。
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