[发明专利]集成的光信号发射装置无效
| 申请号： | 201210441781.9 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811995A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 耿振民 | 申请（专利权）人： | 无锡华御信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H04B10/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 温子云 |
| 地址： | 214081 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种集成的光信号发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：变频元件（30），所述变频元件以集成的方式直接设置在所述辐射穿透表面（26）；所述变频元件采用散热性能良好的材料制成；所述变频元件能够实现将垂直发射极层发射的基础频率变换成为二倍频或三倍频的高价频率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 信号 发射 装置 | ||
【主权项】：
一种集成的光信号发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有‑表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，‑至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和‑辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：变频元件（30），所述变频元件以集成的方式直接设置在所述辐射穿透表面（26）；所述变频元件采用散热性能良好的材料制成；所述变频元件能够实现将垂直发射极层发射的基础频率变换成为二倍频或三倍频的高价频率。
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