[发明专利]一种预充电电路有效
申请号: | 201210437596.2 | 申请日: | 2012-11-06 |
公开(公告)号: | CN102969704B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 贾海江;何斌 | 申请(专利权)人: | 天津市松正电动汽车技术股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300308 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公布了一种预充电电路,电阻R1一端与单片机(1)相连,另一端接三极管Q1基极;电阻R2一端接三极管Q1基极,另一端接地;电阻R3一端接三极管Q1集电极,另一端接VCC;三极管Q1发射极接地;电阻R4一端接三极管Q1集电极,另一端接三级管Q2基极;电容C1一端接三级管Q1集电极,另一端接三极管Q2基极;电阻R5一端接三极管Q2集电极,另一端接地;电阻R6一端接三极管Q3发射极,另一端接晶体管T1栅极;电阻R7一端接晶体管T1栅极,另一端接接地;电阻R8一端接地,另一端接晶体管T1源极。发明旨在克服现有技术中的不足,提供一种结构简单可靠、成本低的预充电电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 充电 电路 | ||
【主权项】:
一种预充电电路,其特征在于:包括:产生控制信号的单片机(1);电阻R1,其一端与单片机(1)相连,另一端接三极管Q1的基极、电阻R2的一端;电阻R2,其一端接三极管Q1的基极、电阻R1的一端,另一端接地;电阻R3,其一端接三极管Q1的集电极、电容C1的一端、电阻R4的一端,另一端接电压源VCC;三级管Q1,其基极分别连接R1和R2的一端,发射极接地,集电极接电阻R3、电阻R4以及电容C1的一端;电阻R4,其一端接三极管Q1的集电极、电阻R3的一端、电容C1的一端,另一端接三极管Q2的基极、电容C1的另一端;电容C1,其一端接三级管Q1的集电极、电阻R3的一端、电阻R4的一端,另一端接三极管Q2的基极、电阻R4的另一端;电阻R5,其一端接三极管Q2的集电极、三极管Q3的基极、二极管D1的正极,另一端接地;二极管D1,其正极接三极管Q2的集电极,负极接三极管Q3的发射极;电阻R6,其一端接三极管Q3的发射极、二极管D1的负极,另一端接MOSFET晶体管的栅极、电阻R7的一端;电阻R7,其一端接MOSFET晶体管T1的栅极、电阻R6的一端,另一端接地;三极管Q2,其基极接R4和电容C1的一端,其发射极接电压源VCC,其集电极接R5的一端、二极管D1的正极、三极管Q3的基极;三极管Q3,其基极接R5电阻的一端、二极管D1的正极、三级管Q2的集电极,其发射极接二极管D1的负极、电阻R6的一端,其集电极接地;电阻R8,其一端接地,另一端接MOSFET晶体管T1的源极、二极管D2的正极;二极管D2,其正极接MOSFET晶体管T1的源极、电阻R8,负极接MOSFET晶体管T1的漏极;MOSFET晶体管T1,其栅极接电阻R6、电阻R7,其源极接电阻R8、二极管D2的正极,其漏极接二极管D2的负极;电阻R8与MOSFET晶体管T1的源极相连的一端也连接至单片机(1);MOSFET晶体管T1的漏极也连接至负载(2)的一端,负载(2)的另一端连接至直流电源(3),负载(2)的两端并联有电容C2。
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