[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法有效
| 申请号： | 201210430647.9 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094532A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 中西铁雄;山田佳益;谷口一行 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种由作为有效的活性物质的硅颗粒构成的负极活性物质的制造方法，该负极活性物质用于非水电解质二次电池的负极，该非水电解质二次电池维持硅较高的初始效率和电池容量，同时循环特性优良且减小了充放电时的体积变化。本发明是一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法，其特征在于，其包含：通过将金属硅作为原料的电子束蒸镀法，在将温度控制为800-1100℃的基板上，以超过1kg／hr的蒸镀速度，在蒸镀膜厚为2-30mm的范围内沉积硅的工序；及，将该沉积的硅粉碎、分级，制得前述负极活性物质的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 负极 活性 物质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，其是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法，其特征在于，其包含：通过将金属硅作为原料的电子束蒸镀法，在将温度控制为800‑1100℃的基板上，以超过1kg／hr的蒸镀速度，在蒸镀膜厚为2‑30mm的范围内沉积硅的工序；及，将该沉积的硅粉碎、分级，制得前述负极活性物质的工序。
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