[发明专利]基板层的融合方法和装置及微流体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201210429745.0 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103086317A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 大川直树;铃木幸惠 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;索尼信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及基板层的融合方法和装置及微流体芯片的制造方法。提供的基板层的融合方法，包括：使用对树脂具有溶解性的有机溶剂处理由树脂制成的基板层的接合面；以及在低于树脂的玻璃化转变温度或软化点温度下加热经处理的基板层，并压接加热的基板层。 | ||
| 搜索关键词： | 基板层 融合 方法 装置 流体 芯片 制造 | ||
【主权项】：
一种基板层的融合方法，包括：使用对树脂具有溶解性的有机溶剂处理由所述树脂形成的基板层的接合面；以及在低于所述树脂的玻璃化转变温度或软化点温度下加热经处理的基板层，并压接加热的基板层。
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