[发明专利]一种NandFlash坏块管理方法

摘要

本发明公开一种NandFlash坏块管理方法，属于存储器领域，具体包括：进行初始坏块扫描，为扫描得到的坏块寻找替换块，并生成相应记录写入坏块替换区，待初始坏块扫描完成后创建位图表，根据所述坏块替换区中的记录进行位图标记，在操作过程中，当接收到块操作请求时根据位图中的标记判断块操作请求涉及的块是否为坏块，是则寻找其替换块并对其替换块进行操作，否则对当前块进行操作，若操作过程中出现坏块，则添加或修改坏块记录中的记录，并在位图表中增加对新出现的坏块进行的标记。其有益效果在于在占用内存不大的情况下支持大容量NandFlash芯片并且提高NandFlash芯片的访问速度。

主权项

一种NandFlash坏块管理方法，其特征在于包括：步骤A、检查初始坏块扫描标志是否置位，是则执行步骤Ｂ，否则进行初始坏块扫描，为扫描得到的坏块寻找替换块，并生成相应记录写入坏块替换区，待初始坏块扫描完成后将所述初始坏块扫描标志置位，执行步骤Ｂ；步骤Ｂ：创建位图表，将所述位图表中的全部数据位的值置为第一预设值，读取所述坏块替换区中的记录，根据所述记录将所述位图表中与各坏块对应的数据位的值置为第二预设值进行位图标记，待位图标记完成后等待接收块操作请求，当接收到块操作请求时执行步骤Ｃ；步骤C：通过检查所述位图表中与所述块操作请求涉及的块号相对应的标记判断所述块操作请求涉及的块是否为坏块，是则查找所述坏块替换区中与所述块操作请求涉及的块号相对应的记录，得到当前块的替换块，对所述替换块进行操作，执行步骤Ｄ，否则对当前块进行操作，执行步骤D；步骤D：判断操作过程中是否出现新坏块，是则执行步骤Ｅ，否则提示操作成功，进程结束；步骤Ｅ：为所述新坏块寻找替换块，并生成相应记录写入坏块替换区，将所述位图表中与所述新坏块对应的数据位的值置为第二预设值，对所述新坏块的替换块进行操作，返回执行步骤D。