[发明专利]LED应用的CMOS可调过电压ESD和冲击电压保护有效
| 申请号： | 201210422160.6 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103094893A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 阿奇姆·韦尔纳;汉斯-马丁·里特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H05B37/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 多个实施例涉及一种发光二极管保护电路，包括：串联连接的多个二极管；连接至所述多个二极管中的第一二极管的输入端；输出端；连接在所述多个二极管和所述输出端之间的第一电阻器；晶体管，具有连接至第一电阻器和所述多个二极管之间的结点的栅极和连接至所述输出端的源极；第二电阻器，连接在所述输入端和晶体管的漏极之间；以及可控硅整流器(SCR)，具有连接至所述输入端的阳极、连接至所述晶体管的漏极的基极和连接至所述输出端的阴极。 | ||
| 搜索关键词： | led 应用 cmos 可调 过电压 esd 冲击 电压 保护 | ||
【主权项】：
一种发光二极管保护电路，包括：串联连接的多个二极管；连接至所述多个二极管中的第一二极管的输入端；输出端；连接在所述多个二极管和所述输出端之间的第一电阻器；晶体管，具有连接至所述第一电阻器和所述多个二极管之间的结点的栅极以及连接至所述输出端的源极；连接在所述输入端和所述晶体管的漏极之间的第二电阻器；以及可控硅整流器SCR，具有连接至所述输入端的阳极、连接至所述晶体管的漏极的基极和连接至所述输出端的阴极。
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