[发明专利]一种变流器模块仿真装置及方法有效
申请号: | 201210419863.3 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN102945003A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 李小文 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | G05B17/02 | 分类号: | G05B17/02 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 卢宏 |
地址: | 412001*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种变流器模块仿真装置及方法,变流器模块仿真装置包括控制芯片和主电路单元,所述主电路单元包括低压电容支路、八个PowerMOSFET,所述八个PowerMOSFET两两串联组成四个串联支路,所述四个串联支路并联,所述低压电容支路与所述串联支路并联,所述PowerMOSFET的栅极接入所述控制芯片。本发明的装置体积减小到原来变流器模块体积的1/10,成本减少到原来的1/100,重量减少到原来的1/50;本发明能方便、灵活地获取正常状态以及各种类型的故障状态信息,为变流器控制电路部分前期的研究、软硬件调试以及变流器模块测试装置的研发及验证带来极大的便利。 | ||
搜索关键词: | 一种 变流器 模块 仿真 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种变流器模块仿真装置,其特征在于,包括控制芯片和主电路单元,所述主电路单元包括低压电容支路、八个Power MOSFET或三极管,所述八个Power MOSFET或三极管两两串联组成四个串联支路,所述四个串联支路并联,所述低压电容支路与所述串联支路并联,所述Power MOSFET的栅极或三极管的基极接入所述控制芯片。
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