[发明专利]用于读出放大器的低电压电流参考产生器有效
| 申请号： | 201210419802.7 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103794252B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 周耀;钱晓州;林光明 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,李浩 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于读出放大器的低电压电流参考产生器。公开了具有包括电流镜的读出放大器的非易失性存储设备，该电流镜包括一对电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 读出 放大器 电压 电流 参考 产生器 | ||
【主权项】：
一种用于在非易失性存储单元上执行读取操作的读出放大器，包括：电流镜，其包括第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器包括第一端子和第二端子并且所述第二电阻器包括第一端子和第二端子；电压源，其被耦合到所述第一电阻器的第一端子并且被耦合到所述第二电阻器的第一端子；参考电路，其被耦合到所述第一电阻器的第二端子；晶体管，其包括第一端子和第二端子，其中所述晶体管的第一端子被耦合到所述第二电阻器的第二端子；被选择的存储单元，其被耦合到所述晶体管的第二端子；其中所述晶体管的第二端子响应于由所述参考电路汲取的第一电流和由所述被选择的存储单元汲取的第二电流提供指示在所述被选择的存储单元中存储的值的电压，进一步包括：运算放大器，其中所述运算放大器的正输入端子被耦合到所述第一电阻器的第二端子，并且所述运算放大器的负输入端子被耦合到所述第二电阻器的第二端子；其中所述晶体管是PMOS晶体管，其包括第一端子、第二端子和第三端子，其中所述PMOS晶体管的第一端子被耦合到所述第二电阻器的第二端子，并且所述PMOS晶体管的第三端子被耦合到运算放大器的输出。
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