[发明专利]一种基于低折射率芯波导的一维光子晶体光学微腔无效

专利信息
申请号: 201210411999.X 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN102914819A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 喻平;沈奥;胡挺;邱晨;江晓清;杨建义 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于低折射率芯波导一维光子晶体光学微腔。一维光子晶体微腔制作在高折射率对比的低折射率芯波导上,包括位于微腔中央的晶格常数从中间向两侧对称线性增大的渐变晶格常数区和位于渐变晶格常数区两侧的周期晶格常数区。利用在波导低折射率狭缝芯或中空芯界面处由于电位移矢量的连续性引起光强急剧增加的特性实现了极小的模式体积V,在微腔中央引入渐变晶格常数区实现模式渐变过渡和匹配以获得超高的品质因子Q值;本发明结构简单,器件尺寸紧凑,且其加工可采用CMOS工艺,易于集成和扩展,方便低成本制造;微腔中的狭缝或空芯亦可植入其他低折射率的材料,在纳米激光器、生化传感、光微流体、微光机械等领域有广泛的应用。
搜索关键词: 一种 基于 折射率 波导 光子 晶体 光学
【主权项】:
一种基于低折射率芯波导的一维光子晶体光学微腔,其特征在于: 将一维光子晶体微腔制作在高折射率对比的低折射率芯波导上,包括位于微腔中央的晶格常数从中间向两侧对称线性增大的渐变晶格常数区(2)和位于渐变晶格常数区两侧的周期晶格常数区(3)。
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