[发明专利]ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法有效
申请号: | 201210388122.3 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN102874864A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 曾祥华;卢俊峰 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | C01G9/08 | 分类号: | C01G9/08;C09K11/57;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 王玉霞 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法,包括以下步骤:(1)选取ZnS粉末和MnCl2粉末混合,其中Mn的摩尔掺杂含量为0.5%-10%;混合后的粉末置于管式炉的中间;选取镀金的Si片置于管式炉的下风口处;(2)封闭管式炉,通氩气清洗,氩气流量为500-550sccm;(3)清洗完毕后,将氩气流量调节至48-53sccm,然后使用真空泵将管式炉内气压抽至8-12Pa;(4)对管式炉进行加热至1030-1070℃,升温速率8-12℃/min,保温30-35min,最后自然降温;(5)冷却至室温,关闭管式炉,取出产物。本发明原材料便宜、无毒、无污染、工艺简化、成本低;产品的结晶度高,一维纳米同质超晶格均匀性好,在580nm处有很强的峰,没有其他有机物对样品造成污染。 | ||
搜索关键词: | zns 纳米 同质 晶格 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法,其特征是,包括以下步骤:(1)选取ZnS粉末和MnCl2粉末混合,其中Mn的摩尔掺杂含量为0.5%‑10%;混合后的粉末置于管式炉的中间;选取镀金的Si片置于管式炉的下风口处,距粉末13‑17cm;(2)封闭管式炉,通氩气清洗12‑18min,氩气流量为500‑550sccm;(3)清洗完毕后,将氩气流量调节至48‑53sccm,然后使用真空泵将管式炉内气压抽至8‑12Pa;(4)对管式炉进行加热,设置升温程序,升温速率8‑12℃/min,温度升至1030‑1070℃,保温30‑35min,最后自然降温;(5)冷却至室温,关闭管式炉,取出产物。
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