[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法

摘要

本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。

主权项

一种磁控溅射装置，以与载置于真空容器内的被处理基板相对的方式配置靶，并且在该靶的背面侧设置有磁体，该磁控溅射装置的特征在于，包括：电源部，其对所述靶施加电压；磁体排列体，其在基体上排列有磁体组；和旋转机构，其用于使该磁体排列体在与被处理基板正交的轴的周围旋转，所述磁体排列体，沿构成磁体组的多个N极和S极与靶相对的面，相互隔开间隔地排列，以使得基于会切磁场引起的电子的漂移产生等离子体，所述磁体组中的位于最外周的磁体排列为线状，以阻止电子摆脱会切磁场的束缚而飞出到会切磁场之外，溅射时的所述靶和被处理基板的距离为30mm以下。