[发明专利]一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法有效
| 申请号： | 201210365968.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102867645A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李明华;于广华;董跃刚;冯春 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 于永进 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5～9×10-5Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为0.4～2.7Pa，平行于基片方向加有150～300Oe的磁场，基片始终以8～30转/分钟的速率旋转，在清洗干净的玻璃或硅基片上依次沉积缓冲层Ta、CoFeB层、、磁性层NiFe、CoFeB层、保护层Ta；其中CoFeB层厚度为1.0～20.0nm。本发明方法制备的薄膜材料能够使得薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、好的热稳定性等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 各向异性 磁电 阻坡莫 合金 薄膜 热稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10‑5～9×10‑5Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为0.4 ～2.7 Pa，平行于基片方向加有150～300 Oe的磁场，基片始终以8～30转/分钟的速率旋转，其特征在于，在清洗干净的玻璃或硅基片上依次沉积缓冲层Ta、CoFeB层、、磁性层NiFe、CoFeB层、保护层Ta；其中CoFeB层厚度为1.0～20.0 nm。
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