[发明专利]可控硅中频电源的控制系统无效
申请号: | 201210360731.8 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN102904428A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 王福秋 | 申请(专利权)人: | 湘潭高新区中频设备有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 411104 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开的可控硅中频电源的控制系统包括一脉冲电路板、设于所述脉冲电路板内的启动电路、截压保护电路、过压保护电路、截流保护电路、过流保护电路、过热保护电路、水压保护电路、三相电源缺相保护电路、以及连接且控制上述各电路的CPLD芯片;借由所述CPLD芯片中的相关程序分别控制各所述电路,且可于相应的程序中设置相应的参数,当某一电路中的指标超出设置的相应参数,就对其进行报警,所以,所述可控硅中频电源的控制系统,不再仅借助电路去实现各种控制,因而在结构上简化,且各功能电路都是模块化的,相互之间影响较小而使系统稳定性好,此外,所述CPLD芯片的程序中参数可进行调节,以适应不同的可控硅中频电源控制的需要,通用性好。 | ||
搜索关键词: | 可控硅 中频 电源 控制系统 | ||
【主权项】:
一种可控硅中频电源的控制系统,其特征在于,包括一脉冲电路板、设于所述脉冲电路板内的启动电路、截压保护电路、过压保护电路、截流保护电路、过流保护电路、过热保护电路、水压保护电路、三相电源缺相保护电路、以及连接且控制上述各电路的CPLD芯片。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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