[发明专利]氧化被膜的形成方法有效
| 申请号： | 201210345479.3 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102995089A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 石榑文昭;稻吉荣;石川裕一;佐藤洋志 | 申请（专利权）人： | 日本爱发科泰克能株式会社 |
| 主分类号： | C25D11/12 | 分类号： | C25D11/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化被膜的形成方法，其目的是在大面积的被处理物的表面有效地形成氧化被膜。通过将铝或铝合金构成的被处理物的一部分浸渍在电解液中进行微电弧氧化处理，形成氧化被膜后，在形成了上述氧化被膜的部位与其他部位的边界处不设置掩蔽材料，将形成了上述氧化被膜的部位和其他部位浸渍在上述电解液中进行微电弧氧化处理，由此，在上述其他部位形成氧化被膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化被膜的形成方法，其特征在于，在通过将铝或铝合金构成的厚度1mm以上的被处理物的一部分浸渍在电解液中进行微电弧氧化处理形成氧化被膜后，在形成了上述氧化被膜的部位与其他部位的边界处不设置掩蔽材料，将形成了上述氧化被膜的部位和其他部位浸渍在上述电解液中进行微电弧氧化处理，由此，在上述其他部位形成氧化被膜。
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