[发明专利]高密度镁稳定氧化锆陶瓷有效

专利信息
申请号: 201210345193.5 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN102863213A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 潘晓光;杨明江 申请(专利权)人: 钟祥市中原电子有限责任公司
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 431928 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 高密度镁稳定氧化锆陶瓷,其原料配比为:ZrO2 80~99mol%、MgO 0.1~10mol%、Y2O3 0.1~0.5mol%、  CaO 0.1~0.5mol%、烧结促进剂 0.1~5wt%;制备工艺为:A、粉料制备,B、陶瓷的制备:a、制混料:b、制粒;c、制坯;d、排胶;e、高温烧结。优点是:本发明使陶瓷材料烧成温度大大降低,在1600~1690℃下就能获得高密度陶瓷材料,其相对密度达97%左右。材料的抗弯强度高,抗热震性好,离子电导率高。
搜索关键词: 高密度 稳定 氧化锆 陶瓷
【主权项】:
高密度镁稳定氧化锆陶瓷,其特征在于其原料配比为:ZrO2 80~99mol%    MgO 0.1~10mol%Y2O3 0.1~0.5mol%  CaO 0.1~0.5mol%烧结促进剂 0.1~5wt%;烧结促进剂由Al2O3,SiO2,TiO2,Fe2O3组成,其配比为:Al2O3 10~40mol%    SiO2  30~60mol%TiO2  20~50mol%    Fe2O3 0.5~20mol%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钟祥市中原电子有限责任公司,未经钟祥市中原电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210345193.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top