[发明专利]一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法有效
| 申请号： | 201210343524.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102866592A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法，包括以下顺序步骤：先使用第一掩模板图形对硅片物理尺寸内部分进行曝光；后使用第二掩模板图形对硅片物理尺寸外部分进行曝光，所述第一掩模板图形和第二掩模板图形设置在同一掩模板上。。本发明提供的光刻曝光方法能有效解决套准精度低下和光学镜头局部受热不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多层 整合 工艺 精度 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：先使用第一掩模板图形对硅片物理尺寸内部分进行曝光；后使用第二掩模板图形对硅片物理尺寸外部分进行曝光，所述第一掩模板图形和第二掩模板图形设置在同一掩模板上。
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