[发明专利]用于光刻中的照明光源形状定义的方法、系统和器件有效
| 申请号： | 201210342442.5 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103064257B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 岩濑和也;P·德毕晓普 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;索尼株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及光刻中的照明光源形状定义，描述了用于确定光刻处理的光刻处理条件的方法和系统。在获得输入之后，在允许非矩形子分辨率辅助特征的条件下对于照明光源和掩模设计进行第一优化。此后，在一个或多个进一步优化中优化掩模设计，对于该一个或多个进一步优化仅允许矩形子分辨率辅助特征。后者导致良好的光刻处理，同时限制了掩模设计的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 中的 照明 光源 形状 定义 方法 系统 器件 | ||
【主权项】：
‑用于确定光刻处理的光刻处理条件的方法(300)，所述方法(300)包括：‑获取(310)照明光源和掩模设计的特性，所述掩模设计包括光刻图案，‑执行用于组合优化所述光刻处理的至少所述照明光源特性和所述掩模设计特性的第一优化(320)，藉此对于所述第一优化，所述掩模的非矩形子分辨率辅助特征(130)被允许，‑从所述第一优化中确定一组经优化的照明光源特性，‑执行用于优化所述光刻处理的所述掩模设计特性的一个或多个进一步优化(330)，藉此对于所述一个或多个进一步优化，所述掩模设计的非矩形子分辨率辅助特征(130)的存在基本被排除，且藉此所述一个或多个进一步优化考虑了所述一组经优化的照明光源特性，和‑从所述一个或多个进一步优化中确定一组基本排除了非矩形子分辨率辅助特征(130)的经优化的掩模设计特性。
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