[发明专利]一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201210315790.3 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102807389A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 贾德昌;王胜金;杨治华;段小明;周玉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B38/02 | 分类号： | C04B38/02;C04B35/586;C04B35/597 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 高会会 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，涉及多孔复相陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在的制备方法复杂，且最终产物中易残留SiO2的技术问题。本发明的制备方法如下：一、制备原料；二、制备块体材料；三、制备生坯；四、制备多孔结构生坯；五、制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132～267MPa，断裂韧性1.8～4.3MPa·m1/2，实际密度1.8～2.7g/cm3，介电常数4.0～6.7，可作为热防护材料和透波材料用于航空航天、机械工业等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sub 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si3N4‑Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，其特征在于Si3N4‑Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法是按以下步骤进行：一、称取Si3N4、Y2O3、Al2O3和(NH4)2HPO4，其中Si3N4∶Y2O3∶Al2O3的质量比为(92～95)∶4∶2，(NH4)2HPO4占Si3N4、Y2O3和Al2O3总体积的10～60vol.％，向Si3N4、Y2O3和Al2O3中加入(NH4)2HPO4，采用无水乙醇为分散介质进行球磨混料5～24h，得到浆料；二、将浆料在温度为40～80℃流动空气条件下烘干，经烘干后的混合粉体过筛，在20～30MPa的压力下保压1～2min进行预成型，得到块体材料；三、取出块体材料放入橡胶模具中，抽气并进行封装，在100～300MPa的压力下保压1～2min冷等静压成型，得到生坯；四、将成型后的生坯在空气炉中于500～800℃煅烧1～2h，得到多孔结构生坯；五、最后将煅烧后的多孔结构生坯在0.1～0.2MPa的N2保护气氛下在热压烧结炉中于1500～1800℃进行无压烧结1～3h，得到Si3N4‑Si2N2O多孔复相陶瓷。
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