[发明专利]一种超低功耗低噪声放大器

摘要

一种超低功耗低噪声放大器，其特征在于：设有第一、第二两个输入放大单元、正反馈隔离单元以及负载单元，差分射频输入信号的正负两端分别连接第一、第二两个输入放大单元的正输入端及负输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号通过电容交叉耦合反馈给第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接正反馈隔离单元，正反馈隔离单元的输出连接负载单元，负载单元输出差分射频输出信号。

主权项

一种超低功耗低噪声放大器，其特征在于：设有第一、第二两个输入放大单元、正反馈隔离单元以及负载单元，差分射频输入信号的正负两端分别连接第一、第二两个输入放大单元的正输入端及负输入端，第一输入放大单元的输出端将放大信号通过电容交叉耦合反馈给第二输入放大单元，第二输入放大单元的输出端连接正反馈隔离单元，正反馈隔离单元的输出连接负载单元，负载单元输出差分射频输出信号；其中：第一输入放大单元包括PMOS管M1及PMOS管M2、四个电阻R1、R2、R3及R4、四个电容C1、C2、C3及C4，PMOS管M1的栅极与电容C1及电阻R1的一端连接在一起，PMOS管M2的栅极与电容C2及电阻R2的一端连接在一起，电阻R1及电阻R2的另一端均连接第一偏置电压，电容C1的另一端与PMOS管M2的源极以及差分射频输入信号的负输入端连接在一起，电容C2的另一端与PMOS管M1的源极以及差分射频输入信号的正输入端连接在一起，PMOS管M1的衬底连接PMOS管M2的源极，PMOS管M2的衬底连接PMOS管M1的源极，PMOS管M1的漏极与电容C3、电阻R3的一端连接在一起，PMOS管M2的漏极与电容C4、电阻R4的一端连接在一起，电阻R3、R4的另一端均接地；第二输入放大单元包括NMOS管M3、NMOS管M4、两个电阻R5及R6，NMOS管M3的栅极与电阻R5的一端及第一输入放大单元中电容C3的另一端连接在一起，NMOS管M4的栅极与电阻R6的一端及第一输入放大单元中电容C4的另一端连接在一起，电阻R5、R6的另一端均连接第二偏置电压，NMOS管M3的源极与NMOS管M4的衬底以及差分射频输入信号的正输入端连接在一起，NMOS管M4的源极与NMOS管M3的衬底以及差分射频输入信号的负输入端连接在一起；正反馈隔离单元包括NMOS管M5及NMOS管M6，NMOS管M5的衬底与源极互连，NMOS管M6的衬底与源极互连；NMOS管M5及NMOS管M6的源极分别连接第二输入放大单元中NMOS管M3及NMOS管M4的漏极，NMOS管M5的栅极连接NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的栅极连接NMOS管M5的漏极；负载单元包括两个负载元件及两个电容C5及C6，一个负载元件的一端与正反馈隔离单元中NMOS管M5的漏极以及电容C6的一端连接在一起，另一个负载元件的一端与正反馈隔离单元中NMOS管M6的漏极以及电容C5的一端连接在一起，电容C5及C6的另一端分别输出差分射频输出正、负信号，两个负载元件的另一端连接电源电压VDD。