[发明专利]低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201210312751.8 申请日: 2012-08-29
公开(公告)号: CN102789256A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 徐光磊 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种低压差线性稳压器包括:误差放大器、缓冲器、第一旁通P型MOS晶体管、第一电阻器、第二电阻器、串联电阻器、串联电容器以及电压转换速率提升电路。误差放大器的输出端连接至缓冲器BF的输入端,缓冲器BF的输出端连接至第一旁通P型MOS晶体管的栅极,第一旁通P型MOS晶体管的漏极作为低压差线性稳压器的输出端。电压转换速率提升电路包括:第二旁通P型MOS晶体管、第一附加NMOS晶体管、第二附加PMOS晶体管、第三附加PMOS晶体管、第三附加NMOS晶体管、第二附加NMOS晶体管以及第二电流源。根据本发明的低压差线性稳压器可有效地提高电压转换速率而不增大功耗,由此,根据本发明的低压差线性稳压器尤其适用于低功耗的要求快速电流负载响应的应用。
搜索关键词: 低压 线性 稳压器
【主权项】:
一种低压差线性稳压器,其特征在于包括:误差放大器、缓冲器、第一旁通P型MOS晶体管、第一电阻器、第二电阻器、串联电阻器、串联电容器以及电压转换速率提升电路;其中,所述误差放大器的输出端连接至所述缓冲器BF的输入端,所述缓冲器BF的输出端连接至所述第一旁通P型MOS晶体管的栅极,所述第一旁通P型MOS晶体管的源极连接至电源电压,所述第一旁通P型MOS晶体管的漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端,并且所述第一旁通P型MOS晶体管的漏极连接至所述第一电阻器的第一端并连接至所述串联电阻器的第一端,所述第一电阻器的第二端连接至所述第二电阻器的第一端并连接至所述误差放大器的输入端,所述串联电阻器ESR的第二端连接至所述串联电容器的第一端;所述第二电阻器的第二端以及第二电阻器的第二端均接地;其中,所述电压转换速率提升电路包括:第二旁通P型MOS晶体管、第一附加NMOS晶体管、第二附加PMOS晶体管、第三附加PMOS晶体管、第三附加NMOS晶体管、第二附加NMOS晶体管以及第二电流源;其中,所述第二旁通P型MOS晶体管的源极和漏极分别连接至所述第一旁通P型MOS晶体管的源极和漏极;所述第三附加PMOS晶体管的源极和栅极分别连接至所述第二旁通P型MOS晶体管的源极和栅极;所述第三附加PMOS晶体管的漏极连接至所述第三附加NMOS晶体管的漏极,所述第三附加NMOS晶体管的栅极连接至所述第二电流源的输出端以及所述第一附加NMOS晶体管的漏极,所述第三附加NMOS晶体管的源极连接至所述第二附加PMOS晶体管的漏极,所述第二附加PMOS晶体管接偏置电压,所述第二附加PMOS晶体管的源极以及所述第二附加PMOS晶体管的源极接地。
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