[发明专利]非对称高场强离子迁移谱分析仪迁移管过滤器及其加工方法

摘要

本发明公开了一种非对称高场强离子迁移谱分析仪迁移管过滤器及其实现方法，本发明使用湿法刻蚀和硅片键合相结合的技术，加工的FAIMS迁移管过滤器包括结构相同的、键合连接的第一硅片和第二硅片，第一硅片包括硅片本体及其上顺次加工的第一氧化层、包括至少3组相互绝缘的金属图形的第一金属图形层、第二氧化层、包括至少3组相互绝缘的金属图形的第二金属图形层，第三氧化层以及至少一组腔体，第一硅片和所述第二硅片的厚度为30～100微米，本发明能够在普通高压集成电路工艺基础上，使用湿法刻蚀技术，在规范电场电极的作用下，得到合格的FAIMS过滤区电场。除了显著降低FAIMS过滤器的加工成本外，还能够获得更高的离子检出精度。

主权项

一种非对称高场强离子迁移谱分析仪FAIMS迁移管过滤器，包括：第一硅片，包括硅片本体、第一氧化层、包括至少3组相互绝缘的同一金属层制作的第一金属图形层、第二氧化层、包括至少3组相互绝缘的同一金属层制作的第二金属图形层、第三氧化层以及至少一组腔体，其中所述第一氧化层位于所述硅片本体之上，所述第一金属图形层位于所述第一氧化层之上，所述第二氧化层位于所述第一金属图形层之上，所述第二金属图形层位于所述第二氧化层之上，所述第三氧化层位于所述第二金属图形层之上，所述至少一组腔体位于所述硅片本体和所述第一氧化层中间，每组腔体和所述第一金属图形层中间的过滤电场电极的位置对应；第二硅片，与所述第一硅片结构相同；设定硅片加工氧化层和金属层的方向为上方，硅片本体的方向为下方；其中所述第一硅片和所述第二硅片的厚度在30‑100微米之间，并且所述第一硅片和第二硅片按照从上往下的顺序对齐摆放并键合成整体。