[发明专利]用于BOOST变换器中的脉宽控制电路无效
申请号: | 201210249559.9 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN102790525A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 方健;潘福跃;唐莉芳;黎俐 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于BOOST变换器中的脉宽控制电路,具体包括:一V-I变换器、一电容元件、一恒流源、第一反相器、第二反相器、一二输入与门、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管。本发明的脉宽控制电路采用了V-I变换器,实现了用电流比较来调节BOOST变换器开关管的脉宽,省去了传统结构中的EA放大器、电压比较器等模块,大大降低了电路功耗以及电路设计的难度,电路结构变得简单,从而提高了集成度,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 boost 变换器 中的 控制电路 | ||
【主权项】:
一种用于BOOST变换器中的脉宽控制电路,具体包括:一V‑I变换器、一电容元件、一恒流源、第一反相器、第二反相器、一二输入与门、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管,其中,所述V‑I变换器用于将所述BOOST变换器的输出电压转换为电流,其输入端接BOOST变换器的输出端,输出端接第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极以及第三NMOS管的漏极;所述第一NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的栅极接外部的方波信号,所述第三NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的源极接地,所述恒流源的第一端接外部的直流电源,所述恒流源的第二端接所述第二NMOS管的漏极、所述电容元件的第一端及第一反相器的输入端,所述电容元件的第二端接地,所述第一反相器的输出端接所述第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端接二输入与门的第一输入端,所述二输入与门的第二输入端接所述第三NMOS管的栅极,所述二输入与门的输出端作为所述脉宽控制电路的输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210249559.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。