[发明专利]一种低温多晶硅薄膜制造方法有效
| 申请号： | 201210223164.1 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102732941A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林立;邱勇;黄秀颀;施露;张洁 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B28/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜制造方法，在固相晶化环境温度保持550-700摄氏度的基础上增加一个或多个光子能量范围在2.5-5.0eV之间的光源。本发明在相对低的温度下，提高多晶硅薄膜的结晶率，减少缺陷态密度，用以制造低温多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜有较高的结晶率，以此生产的薄膜晶体管背板具有足够驱动AMOLED的迁移率和较高的均一性，生产高质量AMOLED面板的半导体薄膜材料得到保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜制造方法，其固相晶化的过程如下：第一步：局部多晶硅在热涨落的作用下形成直径大于临界尺度的晶核；第二步:所述晶核生长形成晶粒；第三步：相邻所述晶粒边界生闭合完成非晶硅向多晶硅转变，所述多晶硅内部缺陷态逐步修复，形成多晶硅薄膜；其特征在于：在上述一个或多个步骤中，在固相晶化环境温度保持550‑700摄氏度时，增加一个或多个光子能量在2.5‑5.0eV之间的光源。
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