[发明专利]一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元

摘要

一种新型的抗单粒子翻转的SRAM存储单元，包括依次串联的第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、电压保持电路、第二电位翻转恢复驱动电路、第二输入输出端口。本发明可以实现敏感节点遭受高能粒子轰击，发生电压翻转时的自动恢复功能。根据TSMC 0.18um工艺模拟结果，本发明可以实现翻转阈值LETth大于500MeV/(mg·cm2)；与现有的抗单粒子翻转存储单元比较，具有写入速度快的特点；能够有效缩短了恢复时间；采用单向时钟和小时钟摆幅，时钟网络比较简单，可靠性较高；时钟只与读写晶体管栅极连接，时钟负载比较小；敏感节点对分别位于P型管与N型管的漏极对单粒子引起的多节点翻转有一定的加固作用。

主权项

一种新型抗单粒子翻转的SRAM存储单元，包括依次串联的第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、电压保持电路、第二电位翻转恢复驱动电路、第二输入输出端口；其特征在于：所述第一、第二输入输出端口分别通过一个NMOS管分别与第一、第二电位翻转恢复驱动电路连接；所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路均由一个上拉PMOS管与下拉NMOS管构成；所述电压保持电路由两个稳定结构联接组成，分别为一个由四个PMOS管组成的第一稳定结构和一个由四个NMOS管组成的第二稳定结构；第一稳定结构中：第一PMOS和第三PMOS管的源极均连接的电源正极，第一PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极连接到一节点Pb，第一PMOS管的漏极与第三PMOS管的栅极连接到一节点P；第二PMOS管与第四PMOS管的栅极均与电源负极相连，第二PMOS管的源极连接到节点P，第四PMOS管的源极连接到节点Pb；第二稳定结构中：第一NMOS管和第三NMOS管的栅极连接到电源正极，第一NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极相连、源极连接到一节点N，第三NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极相连、源极连接到一节点Nb；第二NMOS管和第四NMOS管的源极连接到电源负极，第二NMOS管的漏极和第四NMOS管的栅极连接到节点N，第二NMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极连接到节点Nb。