[发明专利]较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210222035.0 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102745981A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 许志勇;孙科;余忠;蒋晓娜;兰中文 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 成都惠迪专利事务所 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量为MnO;以预烧反应后的主成分的质量为参照,添加剂按重量百分比,以氧化物计算:0.05~0.1wt%CaO,0.01~0.08wt%Bi2O3,0.01~0.05wt%V2O5,0.02~0.05wt%Nb2O5,0.03~0.09wt%ZrO2。本发明晶粒均匀致密,气孔较少,平均晶粒尺寸约为14±0.5μm,具有较高磁导率和宽温低损耗特性。
搜索关键词: 磁导率 宽温低 损耗 mnzn 铁氧体 材料 制备 方法
【主权项】:
较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其特征在于,按摩尔百分比,以氧化物计算:主成分包括51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量为MnO;以预烧反应后的主成分的质量为参照,添加剂按重量百分比,以氧化物计算:0.05~0.1wt%CaO,0.01~0.08wt%Bi2O3,0.01~0.05wt%V2O5,0.02~0.05wt%Nb2O5,0.03~0.09wt%ZrO2。
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