[发明专利]较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料及制备方法有效
申请号: | 201210222035.0 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102745981A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 许志勇;孙科;余忠;蒋晓娜;兰中文 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量为MnO;以预烧反应后的主成分的质量为参照,添加剂按重量百分比,以氧化物计算:0.05~0.1wt%CaO,0.01~0.08wt%Bi2O3,0.01~0.05wt%V2O5,0.02~0.05wt%Nb2O5,0.03~0.09wt%ZrO2。本发明晶粒均匀致密,气孔较少,平均晶粒尺寸约为14±0.5μm,具有较高磁导率和宽温低损耗特性。 | ||
搜索关键词: | 磁导率 宽温低 损耗 mnzn 铁氧体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其特征在于,按摩尔百分比,以氧化物计算:主成分包括51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量为MnO;以预烧反应后的主成分的质量为参照,添加剂按重量百分比,以氧化物计算:0.05~0.1wt%CaO,0.01~0.08wt%Bi2O3,0.01~0.05wt%V2O5,0.02~0.05wt%Nb2O5,0.03~0.09wt%ZrO2。
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