[发明专利]一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法

摘要

本发明公开了一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法。在晶圆基板上沉积第一掩膜层；用紫外光刻和第一刻蚀工艺刻蚀第一掩膜层制作出台面，台面侧壁的位置位于制作深亚微米刻蚀槽的位置；再在台面表面沉积第二掩膜层；利用第二刻蚀工艺刻蚀掉在台面正表面的第二掩膜层；利用第三刻蚀工艺刻蚀掉台面第一掩膜层，保留两根柱体；在晶圆基板上表面旋涂第三掩膜层填平并覆盖柱体，回刻第三掩膜层暴露柱体；利用第四刻蚀工艺去除两根柱体形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层掩膜，以第三掩膜层剩余部分作为掩膜，在晶圆基板上刻蚀出深亚微米刻蚀槽。本发明避免了采用电子束曝光、深紫外光刻或纳米压印等工艺的高额成本，且掩膜侧壁具有更高垂直度。

主权项

一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法，其特征在于，该方法的步骤如下：a．在晶圆基板（1）上制作第一掩膜层（2）；b．在第一掩膜层（2）上用紫外光刻和第一刻蚀工艺刻蚀第一掩膜层（2）制作出刻穿台面（3）或非刻穿台面（4），台面侧壁的位置对应位于制作深亚微米刻蚀槽的位置；c．再在晶圆基板（1）上表面和刻穿台面（3）表面制作第二掩膜层（5）； 或在非刻穿台面（4）表面沉积第二掩膜层（5）；d．利用第二刻蚀工艺刻蚀掉在晶圆基板（1）上表面和刻穿台面（3）上表面的第二掩膜层（5），保留刻穿台面（3）侧壁上的第二掩膜层侧面部分（6）；或利用第二刻蚀工艺刻蚀掉非刻穿台面（4）上表面的第二掩膜层（5），保留非刻穿台面4侧壁上的第二掩膜层侧面部分（6）；e．利用第三刻蚀工艺刻蚀掉刻穿台面（3）的第一掩膜层（2），形成独自竖立的两根第二掩膜层柱体（7）；或利用第三刻蚀工艺刻蚀掉除第二掩膜层侧面部分（6）和其正下方同一宽度所述第一掩膜层（2）剩余部分的非刻穿台面（4），形成独自竖立的两根混合柱体（8）；f．在晶圆基板1上表面制作第三掩膜层（9），填平并覆盖两根柱体（7），回刻第三掩膜层（9）直到两根柱体（7）暴露；或在晶圆基板（1）上表面制作第三掩膜层（9），填平并覆盖两根混合柱（8），回刻第三掩膜层（9）直到所述第一掩膜层2剩余部分暴露；g．利用第四刻蚀工艺去除两根柱体（7），形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层（9）掩膜；或利用第四刻蚀工艺去除两根混合柱（8），形成深亚微米刻蚀槽的第三掩膜层（9）掩膜；h．以第三掩膜层（9）剩余部分作为掩膜，在晶圆基板（1）上刻蚀出深亚微米刻蚀槽。