[发明专利]基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器

摘要

本发明的一种基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器，属于脉冲功率技术领域。所述脉冲发生器依次包括充电电源、初级低压快脉冲产生单元、磁饱和直线变压器、泵浦电容、SOS和负载六个部分。本发明各单模块最外周均布的若干组初级低压快脉冲产生单元，增大了初级电流输出能力。采用触发器控制MOSFET导通关断，产生重复频率百kHz以上几十ns至百ns脉冲。采用磁饱和直线变压器，即多个完全相同的单模块串联构成。一方面，可通过增加单模块的串联级数提高输出电压。另一方面，变压器磁芯饱和后，次级为一个同轴鼠笼式结构，减小了反向泵浦电感，缩短了反向电流泵浦时间，SOS快速截断电流，在负载上产生高压超宽谱脉冲。采用初级储能大电容向次级泵浦小电容失谐充电方式，一方面在泵浦电容上得到高电压；另一方面，在相同目标电压下，降低了单模块的串联级数，减小了反向泵浦电感，有利于产生百kHz超宽谱脉冲。

主权项

一种基于SOS的百kHz超宽谱脉冲发生器，由多个完全相同的单模块串联构成；各单模块的部件均置于铺覆有绝缘材料层的金属基底上形成层结构；参阅图2、图3，所述单模块的中心为圆柱结构（13）；圆柱结构（13）外部为环形盒状结构（11），两者材料均为导电材料，且两者同轴；环形盒状结构（11）外部周向均布若干个导电材料的小柱（10）；环形盒状结构（11）内装有环状的变压器磁芯（12）；单模块的最外周周向均布有若干组由初级储能电容（7）、MOSFET（8）和触发器（9）构成的初级低压快脉冲产生单元；初级低压快脉冲产生单元内，MOSFET（8）的栅极与触发器（9）电连接，MOSFET（8）的漏极与初级储能电容（7）的一端电连接，MOSFET（8）的源极与金属基底电连接，金属基底和初级储能电容（7）的另一端与环形盒状结构（11）电连接；各单模块中心的圆柱结构（13）及小柱（10）为共用的贯通结构，且和各层的金属基底电连接；各单模块中MOSFET（8）的漏极均与充电电源（1）电连接；各单模块共用的圆柱结构（13）与泵浦电容（4）串联后，与SOS（5）和负载（6）的并联结构串联，接入小柱（10）。