[发明专利]高饱和磁化强度铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201210206675.2 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102732811A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陆伟 | 申请（专利权）人： | 四川大学苏州研究院 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02;B22D11/06;H01F1/153 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高饱和磁化强度铁基非晶纳米晶软磁合金及其制备方法，该合金由以下相应摩尔百分比的成分制成：68～90%的铁，0～6%的X，所述X为铝、铬、锰、钛中的一种或一种以上，0～2%的铜，3～20%的硅，4～20%的硼，以及0～10%的磷。该合金的制备方法主要包括：成分设计与配料、母合金熔炼、母合金破碎、单棍急冷制带和带材纳米晶化处理工艺步骤。本发明可解决目前铁基非晶纳米晶软磁合金材料饱和磁感应强度较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和磁化强度 铁基非晶 纳米 晶软磁 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高饱和磁化强度铁基非晶纳米晶软磁合金，其特征在于，它由以下相应摩尔百分比的成分制成：68~90%的铁，0~6%的X，所述X选至铝、铬、锰、钛中的一种或一种以上，0~2%的铜，3~20%的硅，4~20%的硼，以及0~10%的磷。
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