[发明专利]电流基准电路

摘要

本发明涉及CMOS技术，公开了一种电流基准电路。本发明中，电流基准电路没有使用运放，用较少的器件产生了电流基准，电路结构简单，面积和功耗都比较小，而且在低频和高频下都具有较高的电源抑制比性能。将电源通过预调整电压产生电路后产生的预置电压输出给电流基准电路，可以为电流基准电路提供稳定的电源，能够进一步提高电流基准电路的电源抑制比性能。电流基准电路的启动电路，可以克服预调整电压产生电路中零电流简并点的存在，保证上电电路正常工作。

主权项

一种电流基准电路，其特征在于，包括：金属氧化半导体MOS管M2、M3、M4、M9、M10、M11、M12、M16和M17，双极晶体管Q1、Q2和Q3，电阻R1、R2和R3，电容C1；M2、M3、M4、M16和M17是同一类型的MOS管，M9、M10、M11和M12是同一类型的MOS管；M9、M10、M11和M12的栅极连接在一起；M9源漏极中的一极与预置电压连接，另一极与M2源漏极中的一极连接，M2源漏极中的另一极与Q3的发射极连接，M2的栅极通过电容C1接地，Q3的基极与集电极接地；M9的栅极与M9源漏极中非接预置电压的一极连接；M10源漏极中的一极与预置电压连接，另一极与M3源漏极中的一极连接，M3源漏极中的另一极与Q1的发射极连接，M3的栅极与M4的栅极连接，Q1的基极与集电极接地，电阻R3连接在Q1的发射极与集电极之间；M2的栅极与M10源漏极中非接预置电压的一极连接；M11源漏极中的一极与预置电压连接，另一极与M4源漏极中的一极连接，M4源漏极中的另一极通过电阻R1与Q2的发射极连接，Q2的基极与集电极接地，Q2的发射极通过电阻R1和R2接地；M4的栅极与M11源漏极中非接预置电压的一极连接；M12源漏极中的一极与预置电压连接，另一极与M16源漏极中的一极连接，M16源漏极中的另一极接地，M16的栅极与M12源漏极中非接预置电压的一极连接；M17的栅极与M16的栅极连接，M17源漏极中的一极接输出端口，另 一极接地。