[发明专利]一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201210197280.0 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102735712A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 谢光忠;朱涛;廖剑;周泳;蒋亚东;杜晓松;黎威志;太惠玲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于“微井”的气体传感器阵列及其制作方法，①所述气体传感器阵列采用MEMS技术，在SOI晶片表面制备叉指电极，在叉指电极上用SU-8光刻胶制作了出微井隔离层，可防止制备敏感膜时不同叉指电极间敏感材料的交叉污染，每个传感器阵列至少包括4个叉指电极单元；②每个叉指电极下面有独立的加热单元，大大提高了传感器的灵敏度和响应恢复时间；③以有机薄膜、有机/无机复合薄膜或有机-无机多层膜为敏感膜，通过测定敏感膜吸附气体时电阻的变化实现对气体的定性定量检测；④采用滴涂、气喷或电喷工艺制备敏感薄膜。该气体传感器阵列加在大气环境监测、航天密闭舱空气质量检测及食品安全等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 气体 传感器 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于“微井”的气体传感器阵列，其特征在于：包括至少4个独立的微井单元，每个微井单元包括SOI晶片，所述SOI晶片顶部硅层面上从下到上依次设置有氧化硅掩膜层、加热电极层、氧化硅层、叉指电极，所述叉指电极上设置有矩形的微井隔离层，所述微井内设置有复合敏感膜层，所述SOI晶片的硅基底成“凹面型”，且凹面的两脚上均设置有氧化硅层。
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