[发明专利]包括桥部的薄膜体声波谐振器有效

专利信息
申请号: 201210195961.3 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN102811031B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 达利斯·布拉卡;菲尔·尼克尔;克里斯·冯;亚历山大·施拉卡瓦;约翰·克伊 申请(专利权)人: 安华高科技通用IP(新加坡)公司
主分类号: H03H9/25 分类号: H03H9/25
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘国伟
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及包括桥部的薄膜体声波谐振器。薄膜体声学谐振器(FBAR)结构包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的压电层、和设置在第一压电层上的第二电极。桥部设置在第一电极和压电层之间。
搜索关键词: 包括 薄膜 声波 谐振器
【主权项】:
一种薄膜体声学谐振器FBAR结构,其包括:衬底;腔,其设置在所述衬底中;第一电极,其设置在所述衬底和所述腔上,其中所述第一电极覆盖所述腔;平坦化层,其邻接于所述第一电极的边缘;压电层,其设置在所述第一电极和所述平坦化层上;第二电极,其设置在所述压电层上;和桥部,其经图案化以设置在邻接于所述第一电极一侧的所述压电层中,并沿着所述薄膜体声学谐振器的有源区的周边设置,所述桥部部分地设置于所述衬底上并延伸跨越所述腔的边缘,其中所述桥部具有倾斜的侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安华高科技通用IP(新加坡)公司,未经安华高科技通用IP(新加坡)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210195961.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top