[发明专利]包括桥部的薄膜体声波谐振器有效
申请号: | 201210195961.3 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102811031B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 达利斯·布拉卡;菲尔·尼克尔;克里斯·冯;亚历山大·施拉卡瓦;约翰·克伊 | 申请(专利权)人: | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明涉及包括桥部的薄膜体声波谐振器。薄膜体声学谐振器(FBAR)结构包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的压电层、和设置在第一压电层上的第二电极。桥部设置在第一电极和压电层之间。 | ||
搜索关键词: | 包括 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】:
一种薄膜体声学谐振器FBAR结构,其包括:衬底;腔,其设置在所述衬底中;第一电极,其设置在所述衬底和所述腔上,其中所述第一电极覆盖所述腔;平坦化层,其邻接于所述第一电极的边缘;压电层,其设置在所述第一电极和所述平坦化层上;第二电极,其设置在所述压电层上;和桥部,其经图案化以设置在邻接于所述第一电极一侧的所述压电层中,并沿着所述薄膜体声学谐振器的有源区的周边设置,所述桥部部分地设置于所述衬底上并延伸跨越所述腔的边缘,其中所述桥部具有倾斜的侧壁。
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