[发明专利]一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210193195.7 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102707377A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 胡卉;卢霏;王雪林;陈峰;王克明 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 杨琪 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，采用多能量中/重离子注入，注入离子的能量范围是2MeV~6MeV，注入后采用温度由低到高阶梯式退火处理，温度范围200℃~500℃,逐渐增加退火温度，每次增加温度的间隔至少15℃，每一退火温度下的退火时间为20min~60min。多能量注入减小了漏光损耗，多温度梯度退火在减少吸收和散射损耗的同时确保折射率减小层的稳定，采用本发明中的方法我们已经在铌酸锂晶体上获得了损耗只有0.17dB的能够在1.5微米波段传输的单模条形波导和分支器，这是目前能够测到的离子注入波导损耗的最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 铌酸锂条型 波导 分支 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，其特征是，包括步骤如下：（1）将铌酸锂材做清洁处理；（2）采用多能量中/重离子常温下注入铌酸锂材料，先注入高能量的离子，然后根据由高到低的原则依次注入，注入离子能量范围是2MeV~6MeV，注入离子总剂量范围1×1013离子/平方厘米~1×1016离子/平方厘米（3）注入后进行退火处理，用温度由低到高阶梯式退火，温度范围200℃~500℃，退火总时间1~20小时。
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