[发明专利]基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及制备方法无效
| 申请号： | 201210179758.7 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102729562A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 徐建华;王偲宇;陈燕;杨文耀;杨亚杰;龙菁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B27/30 | 分类号： | B32B27/30;B32B27/20;C08L27/16;C08K3/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法，属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成；其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时，首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液（体系A）；然后往体系A中加入石墨烯粉末，得到体系B；再采用超声雾化工艺，将体系B喷涂于衬底表面；最后将喷涂于衬底表面的体系B烘干，得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。本发明在聚偏氟乙烯薄膜中掺入接近但不超过逾渗阈值的石墨烯，得到高出纯聚偏氟乙烯薄膜材料介电常数100%以上的复合介质薄膜材料，且保持了原有的柔韧性和易加工性；其制备方法简单、易控，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚偏氟 乙烯 石墨 复合 介质 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料，包括衬底位于衬底表面的复合介质薄膜，所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成；其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。
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