[发明专利]一种多晶硅铸锭炉的冷却方法及冷却装置无效

专利信息
申请号: 201210178791.8 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102732961A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 樊海艳 申请(专利权)人: 沈阳森之洋光伏科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 俞鲁江
地址: 110141 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开一种多晶硅铸锭炉的冷却方法,将现有铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;在铸锭炉的隔热笼内增加定向温度传导装置,将隔热笼内形成两个封闭的腔室;在下腔底部设有隔热门;隔热门下面增设制冷盘;通过关闭、打开隔热门对坩埚内多晶硅料的加热熔化进行冷却结晶。当下腔室隔热门关闭时,加热器对坩埚进行加热,使多晶物料熔化;当隔热门打开时下腔与制冷盘相通,通过控制上、下腔加热功率形成温度梯度,并通过定向温度传导使熔化后的原料降温,以便多晶硅晶体定向、速度可控的结晶。该冷却方法通过隔热门,巧妙地将炉内冷热分隔开,形成上下温度梯度,通过控制隔热门的开关大小、速度来控制冷却速度;该方法结构简单,操作方便。
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭 冷却 方法 装置
【主权项】:
一种多晶硅铸锭炉的冷却方法,基于现有加热笼结构的铸锭炉,其特征在于:将铸锭炉内的隔热笼结构进行改进;第一步,首先在铸锭炉的隔热笼内增设一隔温门,然后将隔热笼内形成两个封闭的腔室;第二步,然后其中一个腔室内设有用于熔化硅料的坩埚及加热装置;第三步,最后在另一个腔室内设置有换热装置,通过打开隔温门对坩埚均匀降温,实现晶硅均匀生长。
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