[发明专利]一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法无效
| 申请号： | 201210174733.8 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102703988A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;王刚;张苗;陈达;丁古巧;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 张艳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法，包括如下步骤：1）将石墨烯放置在Si片上，然后放入离子注入机中，用离子束轰击所述Si片上的石墨烯，使其产生缺陷；2）将步骤1）中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。该方法首先用离子注入技术轰击石墨烯表面，使其表面产生缺陷（空位），然后选择在合适的气体气氛中退火，完成N型或者P型掺杂，从而打开带隙。实现了石墨烯的掺杂并改善了其开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 注入 技术 打开 石墨 烯带隙 方法 | ||
【主权项】：
一种打开石墨烯带隙的方法，包括如下步骤：1）将石墨烯放置在Si片上，然后放入离子注入机中，用离子束轰击所述Si片上的石墨烯，使其产生缺陷；2）将步骤1）中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。
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