[发明专利]多官能化合物、光记录材料、光记录介质、光记录再生装置、光波导材料及光取向膜材料无效

专利信息
申请号: 201210171765.2 申请日: 2007-07-03
公开(公告)号: CN102690215A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 中西贞裕;上田充 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C07C255/54 分类号: C07C255/54;C07C245/08;G02B1/04;G02F1/1337;G11B7/244
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种多官能化合物,其可用作能高密度地光记录大量数据信息的光记录材料,可利用产生在光照射部与光未照射部之间的折射率差而用作光波导材料,且可形成膜并且可用作光敏度优良的光取向膜材料。本发明的多官能化合物包含通式(1)所示的化学结构,通式(1)中,R1~R2分别独立地为H、CH3、Cl中的任一个,X1~X3分别独立地为-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一个,A1~A3分别独立地为2价的连结基,L1~L3分别独立地为光异构化基、液晶基、H中的任一个,L1~L3中的至少一个为光异构化基。
搜索关键词: 官能 化合物 记录 材料 介质 再生 装置 波导 取向
【主权项】:
1.一种多官能化合物,其包含通式(1)所示的化学结构,通式(1)中,R1~R2分别独立地为H、CH3、Cl中的任一个,X1~X3分别独立地为-O-、-NH-、-N(烷基)-中的任一个,A1~A3分别独立地为2价的连结基,L1~L3分别独立地为光异构化基、液晶基、H中的任一个,L1~L3中的至少一个为光异构化基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210171765.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top