[发明专利]微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构无效
| 申请号： | 201210171262.5 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102709808A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张祥伟;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/026 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，属于半导体光电子学技术领域，为提高现有高功率垂直腔面发射激光器光束的相干度，本发明提供微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极、衬底、缓冲层、n型DBR层、有源区、氧化限制层、p型DBR层、欧姆接触层和金属栅格电极；所述衬底上面腐蚀成微透镜；在所述有源区向下至金属栅格电极两侧设置钝化层。本发明是阵列单元之间相干耦合输出的高功率垂直腔面发射激光器阵列，具有良好的光束相干性，在激光探测、激光雷达成像、激光加工、激光操控、激光武器等应用领域具有潜在的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 透镜 集成 垂直 发射 激光器 相干 控制 阵列 结构 | ||
【主权项】：
微透镜集成垂直腔面发射激光器的相干控制阵列结构，其特征是，该阵列结构包括多个微透镜集成垂直腔面发射激光器，所述每个微透镜集成垂直腔面发射激光器由上至下为n面电极（1）、衬底（2）、缓冲层（3）、n型DBR层（4）、有源区、氧化限制层（5）、p型DBR层（9）、欧姆接触层（10）和金属栅格电极（11）；所述衬底（2）上表面中间区腐蚀成微透镜（12），衬底（2）上表面两端生长n面电极（1）；在所述有源区向下至金属栅格电极（11）两侧生长钝化层（8）。
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