[发明专利]一种动态随机存取存储器的控制方法、装置和设备有效
| 申请号： | 201210167155.5 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426466A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王国添;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种动态随机存取存储器的控制方法，当监测到DRAM所在系统中不存在正在有效占用DRAM的线程或任务时，控制DRAM进入省电模式，并控制此时DRAM不被访问，当监测到系统中有中断出现时，控制DRAM退出省电模式，这样最终使DRAM在一个刷新周期的时间内会有一段时间处于省电模式，可以有效降低DRAM静态功耗。本发明还公开了一种动态随机存取存储器的控制装置，支持本发明所提出的方法。本发明还公开了一种包含动态随机存取存储器的控制装置的设备，该设备具有较低的DRAM静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 随机存取存储器 控制 方法 装置 设备 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器的控制方法，其特征在于，该方法包括：监测所述动态随机存取存储器DRAM所在系统中是否存在正在有效占用所述DRAM的程序，如果否，则控制所述DRAM进入省电模式；在所述DRAM处于省电模式时，监测所述系统中是否产生中断，如果是，则控制所述DRAM退出省电模式；所述中断由使用所述DRAM的主控芯片外部的器件和/或使用所述DRAM的主控芯片内部的部件产生。
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