[发明专利]同轴电缆结构Ag/C纳米互连线的制备方法

摘要

本发明公开了同轴电缆结构Ag/C纳米互连线及其制备方法。该方法基于一步水热反应，以葡萄糖作为还原剂和碳源、CTAB作为金属银生长的形貌控制剂，最佳反应时间为4-8h。产物是由直径为30±5nm的Ag纳米线(核)和表面纳米碳层(壳)所构成，长度可达数百微米；内核Ag线的横截面形貌、尺寸及碳包覆层的厚度(10-120nm)均可调控。碳包覆有利于防止纳米银核的氧化、腐蚀，从而提高其化学反应活性和热稳定性。该制备技术不需要任何模板，一步实现了互连线的大规模制备，克服了其它模板法(如电化学沉积、化学气相沉积)步骤复杂、价格昂贵的缺点。此外，该方法装置简单、可控性好、易实现规模化生产，可推广到其它金属/碳同轴电缆结构纳米功能材料的可控制备。

主权项

一种同轴电缆结构C包覆Ag纳米互连线的制备方法，长度可达数百微米，以葡萄糖既作为还原剂又作为碳源、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为金属生长的形貌控制剂；CTAB与硝酸银摩尔比为1.4∶1‑21∶1之间，葡萄糖与CTAB的质量比为1.4∶1‑10∶1之间；依次溶于去离子水中得到反应混合溶液；葡萄糖、CTAB和硝酸银和质量比为1‑2∶0.2‑0.6∶0.02‑0.05；为使反应固体完全溶解，可超声10‑20分钟；取混合溶液至反应釜中，在160‑200℃范围内某一恒温条件下反应4‑8小时；反应釜被自然冷却至室温，为除去溶液中的残留物，产物经反复离心、清洗，最后在真空或者N2保护气氛下50±10℃干燥。