[发明专利]纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法及其专用制备装置

摘要

本发明公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法，采用电磁搅拌和温度调节方法对反应溶液化学平衡进行控制，加快化学液相沉积的过程。本发明还公开了一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜制备装置，主要包括反应容器、恒温系统和加速溶液反应系统，恒温系统为油浴温度控制系统，油浴温度控制系统包括油浴容器、加热器和油浴温度控制器，油浴温度控制器监测储热油的温度，并控制加热器的热量输出，该加速溶液反应系统为电磁搅拌系统，电磁搅拌系统对反应溶液施加电磁搅拌；反应容器内部保持非真空气氛。该装置结构简单，可重复使用，易于操作，不受外界温度的影响，可制备大面积多晶碘化汞晶种层薄膜，成品率高，适用于批量制备。

主权项

1.一种纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：a．晶种层基片的准备：选用ITO/TFT基片作为装载纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜的晶种层基片，对该ITO/TFT基片进行清洗，并烘干，得到洁净光滑的待用ITO/TFT基片；b．反应溶液化学平衡控制：按照[Hg²⁺]:[I]为1：（2～5）的摩尔浓度比例的配比，使Hg²⁺和I溶于制备装置中的溶剂，形成反应溶液，使Hg⁺与I^-离子结合形成HgI₂分子；同时向制备装置中的反应溶液内部加入电磁场，对反应溶液施加电磁搅拌，加速Hg⁺与I^-离子充分结合，使反应溶液内部各点反应温度均匀化；同时还通过温度调节方法使制备装置中的反应溶液保持在室温～300℃的温度区间的反应温度水平；c．化学液相沉积：在非真空气氛下，向制备装置中的反应溶液竖直插入待用ITO/TFT基片，使浸入反应溶液的ITO/TFT基片部分的表面沉淀生长纳米级多晶碘化汞晶粒；通过改变化学液相沉积时间来控制纳米级多晶碘化汞薄膜颗粒的尺寸；d．当制备装置中的溶剂接近完全蒸发时，从制备装置中取出ITO/TFT基片，在ITO/TFT基片表面上即获得大面积组装的红色纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜；e．将上述步骤d制备的ITO/TFT基片退火，最终获得带有纳米级多晶碘化汞晶种层薄膜ITO/TFT基片产品。