[发明专利]一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法有效
申请号: | 201210147319.8 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN102707250A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 倪志鹏;王秋良;严陆光 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | G01R33/38 | 分类号: | G01R33/38 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法,该方法结合线性规划和非线性优化算法在欲布置线圈的空间范围内进行全局优化搜索线圈的最佳位置,可对成像区域的形状和磁场均匀度、杂散场的限制范围和强度、电流安全裕度以及线圈中最高磁场强度进行约束,设计出的线圈具有造价低和结构简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁共振 成像 超导 磁体 系统 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种磁共振成像超导磁体系统的设计方法,其特征在于,所述方法结合线性规划算法和非线性优化算法在欲布置线圈的空间范围内求解出超导线用线量最少的全局最优的线圈结构;首先,在欲布置线圈的空间进行二维连续网格划分,每个网格点视为一个理想电流圆环,将成像球形区域和5高斯杂散场椭球表面均匀划分为若干个目标点,计算所有网格处的理想电流圆环在载有单位电流的情况下,在所有目标点处产生的磁场值;将成像区域的磁场均匀度以及5高斯杂散场的限制设置为约束条件,通过线性规划算法计算出满足约束条件且线圈总体积最小的网格点处的电流分布图;其次,根据电流分布图得到非零电流簇的数目和空间位置,将每个非零电流簇离散成螺线管线圈,并将其初始位置作为非线性优化算法的初始值,优化变量为每个螺线管线圈的内、外半径以及两个端部的轴向位置,将球形成像区域的磁场均匀度、5高斯杂散场的限制范围、线圈中最高磁场强度以及线圈运行的电流安全裕度设为约束条件,通过非线性优化算法计算出所有线圈总体积最小的线圈位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210147319.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:波长选择开关及切换方法
- 下一篇:一种检测高温材料抗氧化烧蚀性能的方法