[发明专利]一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210137687.4 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN102676162A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 常津;董春红;郭伟圣 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C09K11/62 分类号: C09K11/62
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种高荧光性能的四元ZnCuInS3的制备方法。首先制备Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液,在氩气保护下,将其从室温快速升温至180~240℃,快速注入S前体溶液,反应15~30min,移去热源自然冷却至室温,离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。所得的四元ZnCuInS3量子点荧光性能好,其荧光发射峰位的范围为645~825nm,荧光量子产率为55~64%。本发明采用无毒廉价的前体原料,利用简单的热注射法,合成了一种不仅波长达825nm可近红外发光,而且荧光量子产率高达55~64%的高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点,为量子点在活体生物成像中的应用打下了基础。
搜索关键词: 一种 荧光 性能 zncuins sub 量子 制备 方法
【主权项】:
一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法,其特征在于步骤如下:1)制备含有Zn2+、Cu+、In3+的阳离子前体溶液和S前体溶液;2)在氩气保护下,将步骤1)的Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液快速升温至180~240℃迅速注入S前体溶液,反应15~30min后,移去热源自然冷却至室温;3)离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。
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