[发明专利]一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法无效
申请号: | 201210137687.4 | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN102676162A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 常津;董春红;郭伟圣 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高荧光性能的四元ZnCuInS3的制备方法。首先制备Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液,在氩气保护下,将其从室温快速升温至180~240℃,快速注入S前体溶液,反应15~30min,移去热源自然冷却至室温,离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。所得的四元ZnCuInS3量子点荧光性能好,其荧光发射峰位的范围为645~825nm,荧光量子产率为55~64%。本发明采用无毒廉价的前体原料,利用简单的热注射法,合成了一种不仅波长达825nm可近红外发光,而且荧光量子产率高达55~64%的高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点,为量子点在活体生物成像中的应用打下了基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 荧光 性能 zncuins sub 量子 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高荧光性能的四元ZnCuInS3量子点的制备方法,其特征在于步骤如下:1)制备含有Zn2+、Cu+、In3+的阳离子前体溶液和S前体溶液;2)在氩气保护下,将步骤1)的Zn2+、Cu+、In3+阳离子前体溶液快速升温至180~240℃迅速注入S前体溶液,反应15~30min后,移去热源自然冷却至室温;3)离心纯化即得到四元ZnCuInS3量子点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210137687.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法