[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210132046.X | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102760488B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 家田义纪;磯部敦生;盐野入丰;热海知昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C11/4193 | 分类号： | G11C11/4193;G11C16/06;H01L27/10;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：能保持一位信息的易失性存储元件；电容器；开关，配置来控制该易失性存储元件与该电容器之间的电荷传输，使得该开关和该电容器能以非易失性方式保持该位信息；在所述易失性存储元件中的第一晶体管；以及在所述第一晶体管上的第一绝缘膜，其中所述开关包括形成在所述第一绝缘膜上的第二晶体管，所述第二晶体管包括作为有源层的氧化物半导体膜，并且其中所述第一晶体管在其第一有源层中包括具有结晶性的硅或具有结晶性的锗。
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