[发明专利]真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体

摘要

本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。

主权项

一种成膜方法，对长尺寸的基体连续地进行真空成膜，其特征在于，包括：a)在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上，从所述第一辊室抽出卷成卷状的长尺寸的第一基体的阶段；b)对沿着所述第一方向抽出的所述第一基体进行脱气的阶段；c)使用由第二成膜室的第二阴极电极支承的靶，将第二膜材料成膜在脱气的所述第一基体上的阶段；d)通过在所述第二辊室卷绕成膜有所述第二膜材料的所述第一基体而生成成膜有所述第二膜材料的第一基体的阶段；还包括：a’)在从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向上，从所述第二辊室抽出卷成卷状的长尺寸的与所述第一基体不同的第二基体的阶段；b’)对沿着所述第二方向抽出的所述第二基体进行脱气的阶段；c’)使用由第一成膜室的第一阴极电极支承的靶，将第一膜材料成膜在脱气的所述第二基体上的阶段；d’)通过在所述第一辊室卷绕成膜有所述第一膜材料的所述第二基体而生成成膜有所述第一膜材料的第二基体的阶段；在生成成膜有所述第二膜材料的第一基体时，从所述第一成膜室去除所述第一成膜室的第一阴极电极；并且，在生成成膜有所述第一膜材料的第二基体时，从所述第二成膜室去除所述第二成膜室的第二阴极电极。