[发明专利]一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器有效
| 申请号： | 201210126624.9 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102624354A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 区健昌;盛杰 | 申请（专利权）人： | 成都必控科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/46 | 分类号： | H03H9/46 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人： | 曾永珠 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，期结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路，所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器，所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接，所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接，本发明的优点是可同时解决抑制传导发射和辐射发射的世界性技术难题，具有较强的实用价值和现实意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 抑制 传导 发射 辐射 emi 滤波器 | ||
【主权项】：
一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器，其特征在于，其结构为双腔体屏蔽结构，电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成；所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路，所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器，所述X2Y电容安装板上安装了X2Y电容，所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接，所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接，所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接。
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