[发明专利]一种多层薄膜OTFT甲醛气体传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210119423.6 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102636544A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 太惠玲;蒋亚东;李娴;但文超 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层薄膜OTFT甲醛传感器及其制作方法，为底栅底接触器件构型，设有源a、漏b、栅c三极，源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；其中源极和漏极为金/钛双层膜，以金材料做电极层，钛材料作为过渡层；源极和漏极之间设置敏感薄膜，该敏感薄膜为有机半导体材料-无机纳米氧化物多层薄膜。本发明将有机半导体材料与无机纳米氧化物相结合，采用多层膜的方式制备敏感薄膜，大大提高了传感器的灵敏度和响应速度，在实现甲醛气体检测的同时，解除了传统OTFT器件材料选择的局限性，并采用MEMS技术制备OTFT器件，具有体积小、成本低、可集成阵列等优点，为OTFT甲醛传感器的制备与应用开辟了新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 薄膜 otft 甲醛 气体 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多层薄膜OTFT甲醛传感器，其特征在于：为底栅底接触器件构型，设有源极、漏极、栅极，源极和漏极之间的沟道设计为叉指结构；其中源极和漏极为金/钛双层膜，以金材料做电极层，钛材料作为过渡层；源极和漏极之间设置敏感薄膜，该敏感薄膜为有机半导体材料‑无机纳米氧化物多层薄膜。
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