[发明专利]一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201210112199.8 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623173A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/002;H01G4/005;H01G4/06 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法，对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理；采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料；采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料；采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料，从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构，使得电容器具有大的能量密度，并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化铝 有序 纳米 结构 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理；②采用原子层沉积的方法在经表面等离子体处理的多孔氧化铝基体材料上制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；③采用原子层沉积方法在金属纳米薄膜表面沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料；④在介电纳米薄膜表面采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料；⑤在导电聚合物复合纳米薄膜表面，采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料，从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属‑绝缘体‑聚合物半导体‑金属的电容器结构。
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